每日消费电子观察

长鑫 4F² 架构 DDR5 年底亮相，剑指服务器内存市场 目前DRAM行业内主流是6F²架构，代表每个存储单元占6倍最小特征尺寸的平方。而4F²架构同面积存储密度可提升30%至50%。 核心是长鑫自研的VSG晶体管，采用了垂直包围沟道结构，能实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点，同时竖立的晶体管也助力面积微缩，提升存储密度。 https://udn.com/news/story/7333/9806805 长鑫有可能比三星和海力士更早量产4F²产品，像上次LPDDR6那样抢个首发。 至于美光？它选择跳过4F²直接去赌…